作家 | ZeR0
剪辑 | 漠影
芯东西6月24日报谈，当天，国内半导体刻蚀建树龙头中微公司书记，其刻蚀建树系列喜迎又一里程碑：Primo Menova 12寸金属刻蚀建树环球首台机班师付运国内一家抨击集成电路研发蓄意及制培育业商。
这标识着中微公司在等离子体刻蚀领域的又一自主革命。
中微公司的等离子体刻蚀建树已欺诈在外洋一线客户从65nm到14nm、7nm和5nm过甚他先进的集成电路加工制造坐褥线及先进存储、先进封装坐褥线。
其CCP电容性高能等离子体刻蚀机和ICP电理性稚子等离子体刻蚀机，可遮掩国内95%以上的刻蚀欺诈需求，在性能优秀、褂讪性高级方面逍遥了客户先进制程中各样严苛条件。
狂放2024年shibo体育游戏app平台年底，该公司累计已有跳跃6000台等离子体刻蚀和化学薄膜建树的反馈台，在国表里137条坐褥线杀青量产和大畛域重迭性销售。
中微公司的12英寸ICP单腔刻蚀建树Primo Menova专注于金属刻蚀，尤其擅长于金属Al线、Al块的刻蚀，可凡俗欺诈于功率半导体、存储器件和先进逻辑芯片的制造，是晶圆厂金属化工艺主要建树之一。
Primo Menova基于中微量产的ICP刻蚀居品Primo Nanova研发制造，剿袭了优异的刻蚀均一性礼貌，可达到高速率、高采用等到低底层介质毁伤等刻蚀性能。
这一系统搭配高末端腔体清洁工艺，可减少腔室浑浊，延伸腔体合手续初始技能；还集成了配备高温水蒸气的除胶腔室（strip chamber），高效去除金属刻蚀后晶圆名义残留光刻胶及副产物。
Primo Menova和除胶腔体可凭据客户工艺需求纯真搭配，最猛进度逍遥客户高坐褥末端的条件，确保机台在高负荷坐褥中的褂讪性与良率。
中微公司资深副总裁丛海表露：“中微公司拓荒的一系列刻蚀建树在性能、褂讪性等方面逍遥了客户的高模范条件，并可遮掩国内大大皆的刻蚀欺诈需求。”
该公司最近十年戒备拓荒多种导体和半导体化学薄膜建树，如MOCVD、LPCVD，ALD和EPI建树，也在布局光学和电子束量检测建树，并拓荒多种泛半导体微不雅加工建树。这些建树皆是制造各式微不雅器件的关节建树，可加工和检测微米级和纳米级的各式器件。
在好意思国TechInsights（原VLSI Research）近五年的环球半导体建树客户惬意度造访中，中微公司四次取得总评分第三，薄膜建树四次被评为第一。
凭据市集及客户需求，中微公司显赫加大研发力度，当前在研神气涵盖6大类、跳跃20款新建树的拓荒。其研发新址品的速率显赫加速，已往频繁需要3~5年拓荒一款新建树，当今只需2年或更短技能就能拓荒出有竞争力的新建树，并班师进入市集。
2024年，中微公司研发总进入达到24.5亿元，比2023年增多了94.3%，占贸易收入比例约为27%，远高于科创板上市公司平均研发进入占收入比例的10%到15%。
